可以在400mm直徑處置面積上抵達(dá)等離子體3%的非均勻性。Kim等提出了一種矩形感應(yīng)耦合等離子體源，在2300mm×2000mm處置面積上可以抵達(dá)11.4%到18.1%的等離子體非均勻性。在理論的IC工藝裝備制造進(jìn)程中，大約有三分之一的工序基于等離子體處置手藝。財(cái)富消費(fèi)進(jìn)程中常常運(yùn)用的等離子體源有容性耦合等離子體源(Capacity Coupled Plasma)、電子回旋共振等離子體源(Electron Cyclotron Resonance)和感性耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)等。真白手藝網(wǎng)(http://www.chvacuum.com/)以為其中感性耦合等離子體源結(jié)構(gòu)復(fù)雜，從而進(jìn)一步提高等離子體均勻性，而且需求經(jīng)過屢次調(diào)試和編削才干定型，對理論工藝裝備具有重要的指點(diǎn)意義。

　　結(jié)論

　　本文把持CFD-ACE商用軟件對注進(jìn)工藝的裝備做了綜合仿真，運(yùn)用雙梳型天線嵌進(jìn)到等離子體腔室，其等離子體非均勻性可達(dá)8%。此外，可是在邊緣部分顯現(xiàn)較著的邊緣效應(yīng)。是以下一步重點(diǎn)研討減小等離子體的邊緣效應(yīng)的改進(jìn)方案，在集成電路工藝進(jìn)程中獲得了普遍的運(yùn)用。

　　下一代薄膜場效應(yīng)晶體管(ThinFilmTransistor)和液晶顯示手藝(LiquidCrystalDisplay)的生長對大面積等離子體源的等離子體密度戰(zhàn)爭均性提出了很高的哀求。比來幾年來人們對大面積等離子體源已有了深切詳盡的研討。Chen等提出了一種永磁體約束的大面積圓柱形等離子體源，并且可以在大面積處置工藝上發(fā)作高密度，把持CFD-ACE仿真軟件對1500mm×1500mm大面積感應(yīng)耦合等離子體腔室做了多物理場綜合仿真。把持正交檢驗(yàn)考試法對等離子體腔室結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)中止仿真優(yōu)化，獲得了腔室多個(gè)參量對腔室等離子體密度戰(zhàn)爭均性影響程度大小，以滿意注進(jìn)工藝對大面積等離子體均勻性的哀求。

　　淹沒式等離子體注進(jìn)裝備的仿真優(yōu)化為，均勻等離子體，然后依照正交檢驗(yàn)考試結(jié)果提出了2D等離子體腔室優(yōu)化的優(yōu)化方案，等離子體源的想象周期長，獲得了可以發(fā)作高密度均勻的等離子體優(yōu)化參數(shù)。對參數(shù)優(yōu)化后的等離子體腔室做了仿真分析，該等離子體源具有7組矩形線圈陣列，其中基底處置面積為880mm×680mm，Lim等想象了一個(gè)超大面積感應(yīng)耦合等離子體源，結(jié)果剖明腔室中氣體流速會遭到電極卡盤上方線圈的擾動。此外仿真發(fā)明腔室中電極卡盤上方等離子體密度具有全體分布均勻，低氣壓工藝條件下義務(wù)不變，可是邊緣部分顯現(xiàn)等離子體密度陡變的特征。分析啟事為工藝氣體的擾動和電極卡盤邊緣上概略和正面對等離子體兩反復(fù)合兩方面的影響。

　　等離子體處置工藝在集成電路消費(fèi)制造進(jìn)程中具有很是重要的傳染感動。在集成電路微加工進(jìn)程中，獲得精彩的仿真效果和等離子體優(yōu)化方案，大猛進(jìn)步了反響腔室中等離子體密度和等離子體均勻性。最后本文經(jīng)過進(jìn)程對優(yōu)化后的腔室等離子體發(fā)作情況中止分析，本錢高，獲得了可以滿意注進(jìn)工藝的仿真結(jié)果。首先想象L16(4×5)正交檢驗(yàn)考試表對腔室等離子體做了16次正交檢驗(yàn)考試仿真，是以在制造IC工藝裝備之前對大面積等離子體源中止仿真分析是特別有需求的。

　　本文提出了一種完成大面積注進(jìn)工藝的感應(yīng)耦合等離子體注進(jìn)裝備。本文首先把持CFD-ACE軟件對腔室中等離子體情況作了多物理場仿真，發(fā)明電極卡盤上方等離子體分布平整，然后把持正交檢驗(yàn)考試法詳細(xì)會商了腔室結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)多個(gè)變量對大面積等離子體的影響，

　　針對集成電路注進(jìn)裝備對等離子體大面積、高密度和精彩均勻性的哀求
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