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　　真空：一般指在一個(gè)大氣壓下的氣體狀態(tài)

　　Emsp;函數(shù)：

　　EMP;1和真空吸盤(pán)容器受大氣壓的影響，壓力由容器內(nèi)外的壓差決定。

　　在EMP;2和真空中，氣體很薄，單位體積的分子數(shù)量很小，分子之間或與其他粒子(如電子、離子)之間的碰撞次數(shù)很小。

　　真空科技

　　真空技術(shù)：真空采集、測(cè)量、泄漏檢測(cè)、真空系統(tǒng)和元件

　　真空熔煉：鑄造、熱處理、焊接、單晶制備

　　等離子體科學(xué)技術(shù)：磁控濺射、離子鍍、CVD、等離子體顯示

　　薄膜的科學(xué)技術(shù)：蒸發(fā)鍍、離子鍍、CVD、濺射涂層

　　電子材料加工技術(shù)：電子器件、半導(dǎo)體器件、光電材料、外延、掩模和刻蝕

　　表面科學(xué)：固體表面電子結(jié)構(gòu)，原子結(jié)構(gòu)，隧道顯微鏡，表面性能測(cè)試

　　應(yīng)用表面科學(xué)：紫外光譜、x射線(xiàn)光電子能譜等表面分析儀器

　　納米科技：材料制備、性能測(cè)試與分析、應(yīng)用

　　真空度單位與真空區(qū)劃分

　　真空

　　Emsp;是衡量氣體稀薄程度的客觀指標(biāo)。最直接的物理量應(yīng)該是單位體積的分子數(shù)。由于歷史原因，真空度較高。

　　低常用氣體壓力、低壓、高真空來(lái)表示，反之，是低真空。

　　氣體壓力：作用于單位區(qū)域墻壁上的氣體壓力。單位：DANE/cm2和牛頓/m2。爸。

　　真空測(cè)量：

　　在EMP的早期階段，用Hg柱高度測(cè)量壓力。1大氣壓=760 mmHg后發(fā)現(xiàn)Hg有7種不同密度的同位素，因此同一汞柱顯示

　　來(lái)自emsp;的壓力并不是唯一的。第十屆國(guó)際計(jì)量大會(huì)決定用Pa定義標(biāo)準(zhǔn)氣壓，規(guī)定：1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓(Atm)=1.013×105 Pa，1≤760大氣壓稱(chēng)為1拖曳(Torr)，1托架，幾乎等于1 mmHg，#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#

　　emsp;exp;1 psi-6895pa：

　　真空區(qū)劃分：

　　真空區(qū)域的劃分沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，國(guó)內(nèi)的劃分也不統(tǒng)一，總評(píng)分為

　　Emsp;是5個(gè)區(qū)域：

　　粗真空760≤

　　低真空10≤

　　高真空

　　超高真空

　　真空技術(shù)的應(yīng)用

　　Emsp;廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域。

　　例如：壓差制真空吸盤(pán)、真空進(jìn)料;電子管、離子加速器(少碰撞);冶金工業(yè)：真空冶煉、脫氣、精煉、熱處理、稀有金屬、半導(dǎo)體材料制備;食品工業(yè)、真空保存、包裝、冷凍干燥;活性物質(zhì)的抗氧化(延長(zhǎng)壽命、燈泡);表面物理(清潔表面的全實(shí)驗(yàn)研究

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